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CY7B131-15JC

更新时间: 2024-11-19 21:53:35
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赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器信息通信管理
页数 文件大小 规格书
14页 437K
描述
1Kx8 Dual-Port Static RAM

CY7B131-15JC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:LCC包装说明:PLASTIC, LCC-52
针数:52Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:15 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-PQCC-J52
JESD-609代码:e0长度:19.1262 mm
内存密度:8192 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:52
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC52,.8SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.26 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:BICMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:19.1262 mm
Base Number Matches:1

CY7B131-15JC 数据手册

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