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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | REVERSE, TSOP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.7 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1-R |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 反向引出线： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY62256LL-55SNC | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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| CY62256LL-55SNE | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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| CY62256LL-55SNI | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 |
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| CY62256LL-55SNI | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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| CY62256LL-55SNIT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CY62256LL-55SNIT | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 |
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| CY62256LL-55SNXE | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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| CY62256LL-55SNXE | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 STANDARD SRAM, 55ns, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, SOIC-28 |
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| CY62256LL-55SNXET | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CY62256LL-55SNXI | CYPRESS |
获取价格 |
256K (32K x 8) Static RAM |
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