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CY62128EV30LL-45SXIT

更新时间： 2023-09-03 20:29:54
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英飞凌 - INFINEON 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 2169K
描述
Asynchronous SRAM

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CY62128EV30LL-45SXIT 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SOP, SOP32,.56
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：1.15
Is Samacsys：N最长访问时间：45 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e4长度：20.4465 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP32,.56
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.997 mm最大待机电流：0.000003 A
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.016 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.2 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：11.303 mmBase Number Matches：1

CY62128EV30LL-45SXIT 数据手册

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CY62128EV30 MoBL®  
1-Mbit (128K × 8) Static RAM  
1-Mbit (128K  
× 8) Static RAM  
Features  
Functional Description  
■ Very high speed: 45 ns  
The CY62128EV30 is a high performance CMOS static RAM  
module organized as 128K words by 8-bits. This device features  
advanced circuit design to provide ultra low active current. This  
is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL®) in portable  
applications such as cellular telephones. The device also has an  
automatic power-down feature that significantly reduces power  
consumption when addresses are not toggling. Placing the  
device in standby mode reduces power consumption by more  
than 99 percent when deselected (CE1 HIGH or CE2 LOW). The  
eight input and output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high impedance state when the device is deselected (CE1 HIGH  
or CE2 LOW), the outputs are disabled (OE HIGH), or a write  
operation is in progress (CE1 LOW and CE2 HIGH and WE  
LOW).  
■ Temperature ranges:  
❐ Industrial: –40 °C to +85 °C  
■ Wide voltage range: 2.2 V to 3.6 V  
■ Pin compatible with CY62128DV30  
■ Ultra low standby power  
❐ Typical standby current: 1 µA  
❐ Maximum standby current: 4 µA  
■ Ultra low active power  
❐ Typical active current: 1.3 mA at f = 1 MHz  
■ Easy memory expansion with CE1, CE2, and OE features  
■ Automatic power-down when deselected  
To write to the device, take chip enable (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and write enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins is then written into the location specified on the address pin  
(A0 through A16).  
■ Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) for  
optimum speed and power  
To read from the device, take chip enable (CE1 LOW and CE2  
HIGH) and output enable (OE) LOW while forcing write enable  
(WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the memory  
location specified by the address pins appear on the I/O pins.  
■ OfferedinPb-free32-pinsmalloutlineintegratedcircuit(SOIC),  
32-pin thin small outline package (TSOP) Type I, and 32-pin  
shrunk thin small outline package (STSOP) packages  
For a complete list of related resources, click here.  
Logic Block Diagram  
I/O  
0
INPUT BUFFER  
A
A
A
A
A
A
A
A
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I/O  
1
I/O  
2
128K x 8  
ARRAY  
I/O  
3
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
4
5
6
7
A
A
A
9
10  
11  
CE  
CE  
1
2
POWER  
DOWN  
COLUMN DECODER  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 38-05579 Rev. *N  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised September 22, 2016  
1234567...19

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与CY62128EV30LL-45SXIT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY62128EV30LL-45ZAXA CYPRESS

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 		暂无描述
CY62128EV30LL-45ZAXAT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, STSOP-32
CY62128EV30LL-45ZAXI CYPRESS

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 		1 Mbit (128K x 8) Static RAM
CY62128EV30LL-45ZAXI INFINEON

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