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CY62128L-70SI

更新时间: 2024-02-14 20:48:12
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 264K
描述
x8 SRAM

CY62128L-70SI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:REVERSE, TSOP1-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.71Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; AUTOMATIC POWER DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSSOP32,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES最大待机电流:0.0001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.06 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CY62128L-70SI 数据手册

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