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CY62127DV20LL-55ZI

更新时间: 2024-02-12 01:01:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
1M (64K x 16) Static RAM

CY62127DV20LL-55ZI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-44针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:1.8/2 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.194 mm
最小待机电流:1 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.0075 mA最大供电电压 (Vsup):2.2 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY62127DV20LL-55ZI 数据手册

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CY62127DV20  
MoBL2®  
ADVANCE  
INFORMATION  
Switching Waveforms (continued)  
Write Cycle No. 4 (BHE/BLE Controlled, OE LOW)[17]  
t WC  
ADDRESS  
CE 1  
CE 2  
t SCE  
t AW  
t HA  
tBW  
BHE/ BLE  
WE  
t SA  
t PWE  
t SD  
t HD  
DATA I/ O  
DONT CARE  
VALID  
DATA  
IN  
Truth Table  
CE1  
H
CE2  
WE  
X
OE  
BHE  
X
BLE  
X
Inp ut / Outp uts  
Mod e  
Powe r  
X
L
X
X
X
L
Hig h Z  
Hig h Z  
Hig h Z  
De se le c t/ Po we r-d o wn  
De se le c t/ Po we r-d o wn  
De se le c t/ Po we r-d o wn  
Re a d  
Sta nd b y(I SB  
Sta nd b y(I SB  
Sta nd b y(I SB  
)
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X
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H
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Da ta Out(I/ O0  
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I/ O15)  
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X
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Outp ut Disa b le d  
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Write  
Ac tive(I CC  
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Ac tive(I CC  
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)
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Hig h Z  
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Da ta In (I/ O0  
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Hig h Z (I/ O8  
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Da ta In (I/ O8  
I/ O15)  
L
I/ O7);  
I/ O15)  
Write  
L
H
L
X
L
H
I/ O7);  
I/ O15)  
Write  
Ac tive(I CC  
)
Document #: 38-05301 Rev. **  
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