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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 55 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.415 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP44,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 1.8/2 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.194 mm |
| 最小待机电流： | 1 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.0075 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY62127DV30 | CYPRESS | 1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30_06 | CYPRESS | 1-Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30_09 | CYPRESS | 1-Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30L | CYPRESS | 1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30L-55BVI | CYPRESS | 1 Mb (64K x 16) Static RAM |
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| CY62127DV30L-55BVXE | CYPRESS | 1-Mb (64K x 16) Static RAM |
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