Datasheet > 存储 > SRAM> CY62127DV20LL-55ZI

CY62127DV20LL-55ZI

更新时间： 2024-02-10 22:08:08

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	217K
描述
1M (64K x 16) Static RAM

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CY62127DV20LL-55ZI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-44	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
长度：	18.415 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	1.8/2 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.194 mm
最小待机电流：	1 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.0075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY62127DV20LL-55ZI 数据手册

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CY62127DV20

MoBL2^®

ADVANCE

INFORMATION

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle No. 2 (CE₁or CE₂Controlled) ^{[12, 16, 17, 18]}

t_WC

ADDRESS

t _SCE

t _SA

t_AW

t _HA

t _PWE

t_BW

BHE /BLE

t_SD

t _HD

VALID

DATA I/ O

DATA

DON’T CARE

t_HZOE

Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)^{[17, 18]}

t_WC

ADDRESS

t_SCE

CE₁

CE₂

t_AW

t_HA

t_SA

t_PWE

t_SD

DATA_INVALID

t_HD

DON’T CARE

DATA I/ O

t_LZWE

t_HZWE

Notes:

16. Data I/O is high-impedance if OE = V_IH

17. If CE₁goes HIGH or CE₂goes LOW simultaneously with WE HIGH, the output remains in a high-impedance state.

18. During the DON’T CARE period in the DATA I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.

Document #: 38-05301 Rev. **

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表

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