是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.71 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 12.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY27C128-200PI | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | |
CY27C128-200WC | CYPRESS |
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128K (16K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
CY27C128-200WI | CYPRESS |
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UVPROM, 16KX8, 200ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY27C128-200WMB | CYPRESS |
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128K (16K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
CY27C128-45JC | CYPRESS |
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128K (16K x 8-Bit) CMOS EPROM | |
CY27C128-45JCR | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C128-45JCT | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C128-45JI | CYPRESS |
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OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C128-45JIR | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 16KX8, 45ns, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 | |
CY27C128-45PC | CYPRESS |
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128K (16K x 8-Bit) CMOS EPROM |