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CY14B104L-BA45XCT

更新时间： 2024-11-07 02:50:59

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	663K
描述
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

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CY14B104L-BA45XCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, FBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.28	最长访问时间：	45 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	10 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

CY14B104L-BA45XCT 数据手册

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PRELIMINARY

CY14B104L, CY14B104N

4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

Features

Functional Description

■ 15 ns, 25 ns, and 45 ns access times

The Cypress CY14B104L/CY14B104N is a fast static RAM, with

a nonvolatile element in each memory cell. The memory is

■ Internally organized as 512K x 8 (CY14B104L) or 256K x 16

(CY14B104N)

organized as 512K words of 8 bits each or 256K words of 16 bits

each. The embedded nonvolatile elements incorporate

QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while independent nonvolatile data resides in the highly

reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the

nonvolatile elements (the STORE operation) takes place

automatically at power down. On power up, data is restored to

the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory.

Both the STORE and RECALL operations are also available

under software control.

■ Hands off automatic STORE on power down with only a small

capacitor

■ STORE to QuantumTrap^®nonvolatile elements initiated by

software, device pin or AutoStore^®on power down

■ RECALL to SRAM initiated by software or power up

■ Infinite read, write, and recall cycles

■ 8 mA typical I_CCat 200 ns cycle time

■ 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

■ 20 year data retention

■ Single 3V +20%, –10% operation

■ Commercial and industrial temperatures

■ FBGA and TSOP - II packages

■ RoHS compliance

Logic Block Diagram

V_CC

V_CAP

[1]

A₀- A₁₈

Address

[1]

DQ0 - DQ7

CY14B104L

CY14B104N

HSB

BHE

BLE

V_SS

Note

1. Address A - A and Data DQ0 - DQ7 for x8 configuration, Address A - A and Data DQ0 - DQ15 for x16 configuration.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-07102 Rev. *F

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised January 02, 2008

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CY14B104L-BA45XCT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B104LA-BA45XI	CYPRESS	类似代替	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
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CY14B104L-BV45XCT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
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CY14B104L-BV45XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM
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CY14B104L-ZS20XI	CYPRESS	获取价格	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

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