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CY14B104L-ZSP15XI

更新时间： 2024-09-25 03:51:35

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器
页数	文件大小	规格书
21页	411K
描述
4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

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CY14B104L-ZSP15XI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.67	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	JESD-609代码：	e3
长度：	22.415 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
混合内存类型：	N/A	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	54
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP54,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY14B104L-ZSP15XI 数据手册

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PRELIMINARY

CY14B104L/CY14B104N

4-Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

Feature

Functional Description

• 15 ns, 25 ns, and 45 ns access times

The Cypress CY14B104L/CY14B104N is a fast static RAM,

with a nonvolatile element in each memory cell. The memory

is organized as 512K words of 8 bits each or 256K words of 16

• Internally organized as 512K x 8 or 256K x 16

• Hands-off automatic STORE on power down with only a

small capacitor

bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate

QuantumTrap technology producing the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and

write cycles, while independent, nonvolatile data resides in the

highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the

SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation)

takes place automatically at power down. On power up, data

is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the

nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL

operations are also available under software control.

• STORE to QuantumTrap^®nonvolatile elements is initiated

by software, device pin or Autostore^®on power down

• RECALL to SRAM initiated by software or power up

• Infinite read, write, and recall cycles

• 8 mA typical I_CCat 200 ns cycle time

• 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

• 20 year data retention

• Single 3V +20%, –10% operation

• Commercial and industrial temperatures

• FBGA and TSOP - II packages

• RoHS compliance

Logic Block Diagram

V_CC

V_CAP

A₀- A₁₈

Address

DQ0 - DQ15

CY14B104L/CY14B104N

HSB

BHE

BLE

V_SS

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-07102 Rev. *E

•

198 Champion Court

•

San Jose

CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised June 29, 2007

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