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CY100E470-5DC

更新时间: 2024-11-14 21:02:19
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赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 109K
描述
Standard SRAM, 4KX1, 5ns, ECL100K, CDIP18, 0.300 INCH, CERDIP-18

CY100E470-5DC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:0.300 INCH, CERDIP-18针数:18
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:5 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-GDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
负电源额定电压:-4.5 V功能数量:1
端口数量:1端子数量:18
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:4KX1
输出特性:OPEN-EMITTER可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:-4.5 V
认证状态:Not Qualified子类别:SRAMs
最大压摆率:0.2 mA表面贴装:NO
技术:ECL100K温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

CY100E470-5DC 数据手册

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