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CY100E474-3LC

更新时间: 2024-02-23 15:54:31
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其他 - ETC 静态存储器
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7页 206K
描述
x4 SRAM

CY100E474-3LC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QLCC
包装说明:CERAMIC, JLCC-28针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.91
最长访问时间:3 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:S-CQCC-J28JESD-609代码:e0
长度:11.43 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
负电源额定电压:-4.5 V功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:1024 words字数代码:1000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:1KX4
输出特性:OPEN-EMITTER可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC28,.5SQ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:-4.5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.572 mm
子类别:SRAMs最大压摆率:0.275 mA
表面贴装:YES技术:ECL
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.43 mm

CY100E474-3LC 数据手册

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