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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> CTLDM7120-M832DS
CTLDM7120-M832DS PDF预览

CTLDM7120-M832DS

更新时间： 2024-09-29 13:07:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 470K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TLM832DS, 8 PIN

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CTLDM7120-M832DS 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1 A
最大漏源导通电阻：0.14 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CTLDM7120-M832DS 数据手册

 浏览型号CTLDM7120-M832DS的Datasheet PDF文件第2页 
CTLDM7120-M832D  
SURFACE MOUNT  
DUAL, N-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFETS  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CTLDM7120-M832D is an Enhancement-mode Dual  
N-Channel Field Effect Transistor, manufactured by the  
N-Channel DMOS Process, designed for high speed  
pulsed amplifier and driver applications. This MOSFET  
offers Low r  
and Low Threshold Voltage.  
DS(ON)  
MARKING CODE: CFT  
TLM832D CASE  
• Device is Halogen Free by design  
FEATURES:  
• ESD protection up to 2kV  
APPLICATIONS:  
• Switching Circuits  
• Low r  
(0.25Ω MAX @ V =1.5V)  
GS  
DS(ON)  
• High current (I =1.0A)  
• DC - DC Converters  
• Battery powered portable devices  
D
• Logic level compatibility  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Power Dissipation (Note 1)  
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 1)  
SYMBOL  
UNITS  
V
V
A
A
W
°C  
°C/W  
A
V
V
I
20  
8.0  
1.0  
4.0  
1.65  
DS  
GS  
D
I
P
DM  
D
T
T
-65 to +150  
76  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
10  
UNITS  
μA  
μA  
V
V
V
Ω
Ω
Ω
nC  
nC  
nC  
S
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
I
I
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=8.0V, V =0  
GSSF, GSSR  
DSS  
GS  
DS  
GS  
DS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
DS  
=20V, V =0  
GS  
BV  
V
V
=0, I =250μA  
20  
0.5  
DSS  
GS(th)  
SD  
D
=10V, I =1.0mA  
1.2  
1.1  
0.10  
0.14  
0.25  
D
=0, I =1.0A  
S
r
r
r
=4.5V, I =500mA  
0.075  
0.10  
0.17  
2.4  
0.25  
0.65  
4.2  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=2.5V, I =500mA  
D
=1.5V, I =100mA  
D
Q
Q
Q
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
g(tot)  
gs  
gd  
GS  
D
D
D
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
GS  
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
GS  
g
=10V, I =500mA  
D
FS  
C
C
C
=10V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
45  
rss  
iss  
oss  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
220  
120  
25  
GS  
=10V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
t
t
=10V, V =5.0V, I =500mA  
GS D  
on  
off  
=10V, V =5.0V, I =500mA  
140  
GS  
D
Notes: (1) FR-4 Epoxy PCB with copper mounting pad area of 54mm2.  
R2 (2-August 2011)  
12

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与CTLDM7120-M832DS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CTLDM7120-M832DTR CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
CTLDM7120-M832DTRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
CTLDM7181-M832D CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS
CTLDM7181-M832DBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CTLDM7181-M832DBKPBFREE CENTRAL

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 		Transistor,
CTLDM7181-M832DTIN/LEAD CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor,
CTLDM7181-M832DTR CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, S
CTLDM7181-M832DTRLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CTLDM7590 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
CTLDM7590_15 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

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