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Datasheet > 暂无类别数据> CTLDM8120-M621H
CTLDM8120-M621H PDF预览

CTLDM8120-M621H

更新时间： 2024-09-29 09:37:11
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2页 414K
描述
SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

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CTLDM8120-M621H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：0.86 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

CTLDM8120-M621H 数据手册

 浏览型号CTLDM8120-M621H的Datasheet PDF文件第2页 
CTLDM8120-M621H  
SURFACE MOUNT  
P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
SILICON MOSFET  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CTLDM8120-M621H is a very low profile (0.4mm)  
P-Channel enhancement-mode MOSFET in a small,  
thermally efficient, 1.5mm x 2mm TLM™ package.  
MARKING CODE: CNF  
TLM621H CASE  
• Device is Halogen Free by design  
FEATURES:  
• Low r  
(0.24Ω MAX @ V =1.8V)  
DS  
APPLICATIONS:  
• Load / Power Switches  
DS(ON)  
• High Current (I =0.95A)  
D
• Logic Level Compatible  
• Small, 1.5 x 2.0 x 0.4mm Ultra Low Height Profile TLM™  
• Power Supply Converter Circuits  
• Battery Powered Portable Equipment  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
Drain-Source Voltage  
V
20  
8.0  
DS  
GS  
Gate-Source Voltage  
V
V
mA  
mA  
mA  
A
Continuous Drain Current (Steady State)  
Continuous Drain Current, t≤5.0s  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Maximum Pulsed Source Current, tp=10μs  
Power Dissipation (Note 1)  
I
860  
D
D
I
950  
I
360  
S
I
4.0  
DM  
I
4.0  
A
SM  
P
1.6  
W
D
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 1)  
T , T  
-65 to +150  
75  
°C  
J
stg  
Θ
°C/W  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
nA  
V
I
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=8.0V, V =0  
1.0  
5.0  
24  
GSSF GSSR  
GS  
DS  
GS  
DS  
=20V, V =0  
GS  
500  
DSS  
BV  
=0, I =250μA  
20  
DSS  
GS(th)  
SD  
D
V
V
=V  
I =250μA  
0.45  
0.76  
1.0  
0.9  
V
DS GS, D  
=0, I =360mA  
V
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
S
r
r
r
r
=4.5V, I =0.95A  
85  
85  
150  
142  
200  
240  
mꢀ  
mꢀ  
mꢀ  
mꢀ  
S
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=4.5V, I =0.77A  
D
=2.5V, I =0.67A  
130  
190  
D
=1.8V, I =0.2A  
D
g
=10V, I =810mA  
2.0  
FS  
D
Notes: (1) Mounted on a 4-layer JEDEC test board with one thermal vias connecting the  
exposed thermal pad to the first buried plane. PCB was constructed as per  
JEDEC standards JESD51-5 and JESD51-7.  
R1 (17-February 2010)  
12

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