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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> CTLDM7181-M832DTIN/LEAD
CTLDM7181-M832DTIN/LEAD PDF预览

CTLDM7181-M832DTIN/LEAD

更新时间： 2024-09-29 13:07:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 467K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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CTLDM7181-M832DTIN/LEAD 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84Base Number Matches：1

CTLDM7181-M832DTIN/LEAD 数据手册

 浏览型号CTLDM7181-M832DTIN/LEAD的Datasheet PDF文件第2页 
CTLDM7181-M832D  
SURFACE MOUNT  
N-CHANNEL AND P-CHANNEL  
ENHANCEMENT-MODE  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
COMPLEMENTARY SILICON MOSFETS  
CTLDM7181-M832D is a Dual complementary  
N-Channel and P-Channel Enhancement-mode  
MOSFET, designed for high speed pulsed amplifier  
and driver applications. These MOSFETs offer Low  
r
and Low Threshold Voltages.  
DS(ON)  
MARKING CODE: CFK  
• Device is Halogen Free by design  
TLM832D CASE  
FEATURES:  
APPLICATIONS:  
Dual complementary MOSFETs  
•
•
•
•
• Switching Circuits  
Low r  
High current  
Logic level compatibility  
DS(ON)  
• DC - DC Converters  
• Battery powered portable devices  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current (Steady State)  
Continuous Drain Current, t<5.0s  
Continuous Source Current (Body Diode)  
Maximum Pulsed Drain Current, tp=10μs  
Maximum Pulsed Source Current, tp=10μs  
Power Dissipation (Note 1)  
SYMBOL N-CH (Q1) P-CH (Q2)  
UNITS  
V
V
A
A
A
A
A
A
V
V
I
I
20  
8.0  
1.0  
-
20  
8.0  
0.86  
0.95  
0.36  
4.0  
DS  
GS  
D
D
I
-
S
I
I
P
4.0  
-
DM  
SM  
4.0  
1.65  
W
°C  
°C/W  
D
T
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance (Note 1)  
T
-65 to +150  
76  
J, stg  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C)  
N-CH (Q1)  
MIN TYP MAX  
P-CH (Q2)  
MIN TYP MAX  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
I
I
, I  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=8.0V, V =0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10  
10  
-
1.2  
-
-
-
20  
-
.001 .05  
.005 0.5  
μA  
μA  
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
Ω
GSSF GSSR  
DSS  
GS  
DS  
GS  
DS  
DS  
=20V, V =0  
GS  
BV  
=0, I =250μA  
20  
0.5  
24  
-
-
-
DSS  
GS(th)  
GS(th)  
SD  
D
V
V
V
V
r
r
r
r
r
r
r
=10V, I =1.0mA  
D
=V  
I =250μA  
=0, I =1.0A  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.45 0.76 1.0  
DS GS, D  
1.1  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9  
-
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
S
=0, I =360mA  
SD  
S
=4.5V, I =0.5A  
.075 0.10  
-
0.10 0.14  
-
0.17 0.25  
-
-
2.4  
0.25  
0.65  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
DS(ON)  
D
=4.5V, I =0.95A  
-
.085 0.15  
D
=2.5V, I =0.5A  
-
-
D
=4.5V, I =0.77A  
-
.085 0.142  
D
=1.5V, I =0.1A  
-
-
D
=2.5V, I =0.67A  
-
-
-
-
-
0.13 0.20  
0.19 0.24  
D
=1.8V, I =0.2A  
Ω
D
Q
Q
Q
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
3.56  
0.36  
1.52  
-
-
-
nC  
nC  
nC  
g(tot)  
gs  
GS  
D
D
D
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
GS  
=10V, V =4.5V, I =1.0A  
GS  
gd  
Notes: (1) FR-4 Epoxy PCB with copper mounting pad area of 54mm2.  
R2 (2-August 2011)  
12

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与CTLDM7181-M832DTIN/LEAD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CTLDM7181-M832DTR CENTRAL

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 		Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, S
CTLDM7181-M832DTRLEADFREE CENTRAL

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 		Transistor
CTLDM7590 CENTRAL

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CTLDM8002A-M621 CENTRAL

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