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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CTA2N1P-7
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CTA2N1P-7

更新时间： 2024-02-09 15:42:28
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 62K
描述
COMPLEX TRANSISTOR ARRAY

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CTA2N1P-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.48
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN FET
最小直流电流增益 (hFE)：40最大降落时间（tf）：30 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：20 ns
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
最大关闭时间（toff）：255 ns最大开启时间（吨）：35 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

CTA2N1P-7 数据手册

 浏览型号CTA2N1P-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CTA2N1P-7的Datasheet PDF文件第3页 
CTA2N1P  
COMPLEX TRANSISTOR ARRAY  
Features  
·
Combines MMBT4401 type transistor with BSS84 type  
MOSFET  
·
·
Small Surface Mount Package  
PNP/N-Channel Complement Available: CTA2P1N  
SOT-363  
A
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
Mechanical Data  
B
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
C
C
B
A03  
D
0.65 Nominal  
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
·
Case material - UL Flammability Rating  
H
H
Classification 94V-0  
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: A03  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
J
K
J
M
K
0.90  
0.25  
0.10  
L
M
L
D
F
GQ2  
CQ1  
SQ2  
All Dimensions in mm  
Q1  
Q2  
EQ1  
BQ1  
DQ2  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximm Ratings, Total Device  
Characteristic  
Symbol  
Pd  
Value  
150  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Power Dissipation (Note 1)  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
833  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Q1, NPN MMBT4401 NPN Transistor Element  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
Unit  
V
60  
40  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6.0  
600  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Q2, BSS84 P-Channel MOSFET Element  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VDGR  
VGSS  
ID  
Value  
-50  
Units  
V
-50  
V
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
Continuous  
Continuous  
20  
V
mA  
-130  
DS30295 Rev. A-2  
1 of 3  
CTA2N1P  
123

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CTA2N1P-7 替代型号

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