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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CTA2P1N-7-F
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CTA2P1N-7-F

更新时间： 2024-10-02 03:16:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 708K
描述
COMPLEX TRANSISTOR ARRAY

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CTA2P1N-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：19 weeks
风险等级：1.37Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.6 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN FET最小直流电流增益 (hFE)：20
最大降落时间（tf）：30 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：20 ns子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
最大开启时间（吨）：35 nsVCEsat-Max：0.75 V
Base Number Matches：1

CTA2P1N-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: CTA2P1N  
CTA2P1N  
COMPLEX TRANSISTOR ARRAY  
Features  
·
·
·
·
Combines MMBT4403 type transistor with 2N7002 type MOSFET  
Small Surface Mount Package  
NPN/P-Channel Complement Available: CTA2N1P  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)  
SOT-363  
A
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
B
Mechanical Data  
C
B
A80  
C
·
Case: SOT-363  
D
0.65 Nominal  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
G
H
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
8°  
H
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
K
M
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
J
Lead Free Plating (Matte Tin Finish annealed over Alloy 42  
leadframe).  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
J
L
D
F
L
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: A80, See Page 3  
M
GQ2  
CQ1  
SQ2  
a
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
Q1  
All Dimensions in mm  
Q2  
EQ1  
BQ1  
DQ2  
@ T = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Total Device  
A
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
Power Dissipation (Note 2)  
150  
833  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Operating and Storage and Temperature Range  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Q1, MMBT4403 PNP Transistor Element  
Characteristic  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
-40  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-40  
V
-5.0  
-600  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings, Q2, 2N7002 N-Channel MOSFET Element  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
60  
Units  
V
V
VDGR  
60  
Drain-Gate Voltage RGS £ 1.0MW  
Gate-Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
±20  
±40  
VGSS  
V
115  
73  
800  
Drain Current (Note 2)  
Continuous  
Continuous @ 100°C  
Pulsed  
ID  
mA  
Notes: 1. No purposefully added lead.  
DS30296 Rev. 7 - 2  
1 of 7  
www.diodes.com  
CTA2P1N  
ã Diodes Incorporated  
1234567

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CTA2P1N-7-F 替代型号

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