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CT20TM-8

更新时间： 2024-11-09 22:08:23

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三菱 - MITSUBISHI		晶体晶体管栅局域网
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
STROBE FLASHER USE

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CT20TM-8 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	130 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	7 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CT20TM-8 数据手册

MITSUBISHI INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

CT20TM-8

STROBE FLASHER USE

CT20TM-8

OUTLINE DRAWING

Dimensions in mm

10.5MAX.

5.2

2.8

φ 3.2

1.3MAX.

0.8

2.54

0.5

2.6

q w e

q GATE

w COLLECTOR

e EMITTER

¡VCES ............................................................................... 400V

¡ICM ................................................................................... 130A

TO-220F

APPLICATION

Strobe Flasher.

MAXIMUM RATINGS (Tc = 25°C)

Symbol

VCES

VGES

VGEM

ICM

Parameter

Conditions

Ratings

Unit

Collector-emitter voltage

Gate-emitter voltage

VGE = 0V

400

±30

VCE = 0V, See notice 4

VCE = 0V, tw = 0.5s

See figure 1

Peak gate-emitter voltage

Collector current (Pulsed)

Junction temperature

Storage temperature

±40

130

–40 ~ +150

°C

Tstg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C)

Symbol Parameter

Limits

Typ.

—

Test conditions

Unit

Min.

Max.

—

V(BR)CES Collector-emitter breakdown voltage IC = 1mA, VGE = 0V

450

—

µA

ICES

Collector-emitter leakage current VCE = 400V, VGE = 0V

Gate-emitter leakage current VGE = ±40V, VCE = 0V

Gate-emitter threshold voltage VCE = 10V, IC = 1mA

—

IGES

—

±0.1

7.0

VGE(th)

—

Feb.1999

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CT20UM-12	POWEREX	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
CT20VM8	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 400V V(BR)CES \| 130A I(C) \| TO-221
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