CSC3936B

更新时间： 2024-02-26 17:45:01

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描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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CSC3936B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	110	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

CSC3936B 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

CSC3936

PIN CONFIGURATION (NPN)

1 = BASE

2 = EMITTER

3 = COLLECTOR

SOT-23

Formed SMD Package

Marking

CSC3936 = K

Optimum for RF Amplification, Oscilation, Mixing and IF of FM/AM Radios

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

VALUE

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

UNITS

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current (DC)

V_CEO

V_EBO

150

Collector power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

ºC

T_stg

- 55 to +150

ºC

Electrical Characterstics (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

V_CBO

Ic = 10mA, I_E= 0

Ic = 2mA, I_B= 0

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

DC Current Gain

V_CEO

V_EBO

*h_FE

f_T

I_E= 10mA, I_C= 0

'VCE = 10V, I_C=1mA

250

V_CB= 10V,I_E= - 1mA, f = 200 MHz

Transition Frequency

Common Emitter Reverse-

Transfer Capacitance

150

MHz

C_re

V_CE= 10V, I_E= - 1mA, f = 10.7 MHz

1.3

*h_FEClassifications

Marking

B : 70 to 160

C : 110 to 250

Data Sheet

Page 1 of 3

Continental Device India Limited

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