CSC4115

更新时间： 2024-02-17 20:05:04

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描述
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

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CSC4115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	270
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

CSC4115 数据手册

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR

CSC4115

(9AW)

TO-92

BCE

MARKING : CSC

4115

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)

DESCRIPTION

SYMBOL

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VALUE

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

6.0

2.0

Collector Current Peak

Collector Power Dissipation

Operating And Storage Junction

Temperature Range

ICP*

Tj, Tstg

5.0

0.4

-55 to +150

deg C

*Single Pulse Pw=10ms

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

6.0

TYP

MAX

UNIT

Collector -Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Cut off Current

BVCBO

BVCEO

BVEBO

ICBO

ICEO

IEBO

IC=50uA, IE=0

IC=1mA, IB=0

IE=50uA, IC=0

VCB=30V, IE=0

VCE=20V, IB=0

VEB=5V, IC=0

VCE=2V, IC=0.1A

0.1

1.0

0.1

560

1.0

Emitter Cut off Current

DC Current Gain

Collector Emitter Saturation Voltage

Dynamic Characteristics

Transition Frequency

hFE

120

VCE(Sat) IC=2A, IB=0.1A

VCE=2V, IC=0.5A,

f=100MHz

150

MHz

Collector Output Capacitance

Hfe Classifications

Cob

VCB=10V, IE=0

f=1MHz

A 120-270;

B 180-390;

C 270-560;

"For BC" 180- 560

Continental Device India Limited

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Data Sheet

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CSC4115C	CDIL	获取价格	Transistor
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