CSC3930C

更新时间： 2024-02-25 15:33:38

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描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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CSC3930C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.03 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	110
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

CSC3930C 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CSC3930

PIN CONFIGURATION (NPN)

1 = BASE

SOT-23

2 = EMITTER

Formed SMD Package

3 = COLLECTOR

Marking Symbol : V

Complementary CSA1532

Optimum for RF Amplification of FM/AM Radios

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC)

VALUE

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

UNITS

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_EBO

I_C

P_C

T_j

150

Collector Power Dissipation

150

Junction Temperature

Storage Temperature

ºC

- 55 to +150

T_stg

Electrical Characterstics (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

I_CBO

V_CB= 10V, I_E= 0

Collector Cut Off Current

DC Current Gain

Transition Frequency

Noise Figure

0.1

V_CB= 10V,I_E= -1mA

*h_FE

f_T

220

V_CB=10V, I_E= -1mA, f=200 MHz

V_CB=10V, I_E= -1mA, f = 5MHz

V_CB=10V, I_E= -1mA, f=2MHz

150

MHz

Z_rb

Reverse Transfer Impedance

Common Emitter Reverse-

Transfer Capacitance

C_re

V_CE=10V,Ic = 1mA,f=10.7 MHz

1.5

*h_FEClassification

Marking

B : 70 - 140

C : 110 - 220

Data Sheet

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Continental Device India Limited

12 3

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