CSC2712GRG

更新时间： 2024-01-12 02:36:59

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描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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CSC2712GRG 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.15 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

CSC2712GRG 数据手册

CSC2712

RATINGS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Limiting values

Collector-base voltage (open emitter)

Collector-emitter voltage (open base)

Emitter-base voltage (open collector)

Collector current (d.c.)

max.

60 V

50 V

5 V

150 mA

30 mA

150 mW

150 ° C

CBO

CEO

EBO

Base current

Total power dissipation at T

Junction temperature

= 25°C

tot

amb

Storage temperature

Tstg

–50 to +150 ° C

CHARACTERISTICS (at T = 25°C unless otherwise specified)

Collector cut-off current

= 0; V

= 60 V

max.

100 nA

250 mV

Emitter cut-off current

= 0; V = 5 V

CBO

EBO

Saturation voltage

= 100 mA; I = 10 mA

CEsat

D.C. current gain

= 2 mA; V

= 6 V

min.

max.

700

min.

max.

120

240

GR(G)

BL(L)

min.

max.

200

400

min.

max.

350

700

Transition frequency

= 1 mA; V

= 10 V

min.

80 MHz

10 dB

Noise figure at R = 10 kW

= 6 V; I = 0.1 mA

f = 1 kHz

max.

Continental Device India Limited

Data Sheet

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