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CSC2786KF

更新时间： 2024-02-22 21:47:19

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3页	141K
描述
Transistor

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CSC2786KF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.02 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	90	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
标称过渡频率 (fT)：	400 MHz	Base Number Matches：	1

CSC2786KF 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS16949 and ISO 9001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CSC2786

TO-92

Plastic Package

For use in FM RF Amplifier

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC)

VALUE

DESCRIPTION

SYMBOL

UNITS

V_CEO

Collector Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

V_CBO

V_EBO

I_B

Base Current

ºC

I_C

Collector Current

Power Dissipation @ T_a=25ºC

P_C

250

T_j

+150

Junction Temperature

T_stg

- 55 to + 150

Storage Temperature Range

ºC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

MIN TYP MAX UNITS

I_CBO

V_CB=30V, I_E= 0

Collector Cut Off Current

Emitter Cutoff Current

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter On Voltage

DC Current Gain

100

I_EBO

V_CE(sat)

V_BE(on)

*h_FE

V_EB=4V, Ic = 0

I_C= 10mA, I_B= 1.0mA

V_CE= 6.0V,Ic = 1.0mA

V_CE= 6.0V, I_C= 1.0 mA

V_CE= 6.0V, Ic = - 1.0mA

0.30

0.72

400

180

f_T

Transition Frequency

Power Gain

MHz

G_pe

V_CE= 6.0V, I_E= - 1.0mA, R_G=50kW

f = 100MHz

V_CE= 6.0V, I_E= - 1.0mA, f=31.9MHz

Collector to Base Time Constant

Output Capacitance

Noise Figure

Cc rb'b

C_ob

V_CB= 6V, I_E=0, f =1MHz

V_CE= 6.0V, I_E= - 1.0mA, R_G=50kW

f = 100MHz

1.30

5.00

*h_FEClassifications

MF : 40 - 80

LF : 60 - 120

KF : 90 - 180

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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