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CSC2713G

更新时间： 2024-02-22 04:24:10

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3页	104K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

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CSC2713G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	350
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

CSC2713G 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

CSC2713

PIN CONFIGURATION (NPN)

1 = BASE

SOT-23

2 = EMITTER

Formed SMD Package

3 = COLLECTOR

MARKING

CSC2713 =13

CSC2713G =13G

CSC2713L =13L

Complementary CSA1163

Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC)

VALUE

120

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

UNITS

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_EBO

I_C

100

ºC

I_B

Base Current

P_C

T_j

150

125

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

T_stg

- 55 to +125

Storage Temperature Range

ºC

Electrical Characterstics (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

I_CBO

CONDITIONS

V_CB=120V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

MIN

TYP

MAX

100

700

UNIT

Collector Cut Off Current

Emitter Cut Off Current

DC Current Gain

I_EBO

V_CE=6V, I_C=2mA

h_FE

200

Collector Emitter Saturation

Voltage

V_{CE (sat)}

I_C=10mA, I_B=1mA

0.3

f_T

V_CE=6V, I_C=1mA

Transition Frequency

Output Capacitance

100

MHz

C_ob

V_CB=10V, I_E=0, f=1MHz

V_CE=6V, I_C=0.1mA, f=1KHz,

Noise Figure

R_g=10kW

_FEClassification

G : 200 - 400

L : 350 - 700

CSC2713Rev_1 021203E

Data Sheet

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Continental Device India Limited

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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