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CS8N50A8R

更新时间： 2024-04-09 18:59:09

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CS8N50A8R 数据手册

CS8N50 A8R

○

Source-Drain Diode Characteristics

Rating

Typ.

Parameter

Test Conditions

Symbol

Units

Min.

Max.

Continuous Source Current (Body Diode)

Maximum Pulsed Current (Body Diode)

Diode Forward Voltage

I_S

I_SM

V_SD

trr

1.5

I_S=8A,V_GS=0V

Reverse Recovery Time

374

1830

9.8

I_S=8A,T_j= 25℃

Reverse Recovery Charge

Qrr

I_RRM

dI_F/dt=100A/us,

V_GS=0V

Reverse Recovery Current

Pulse width tp≤300µs,δ≤2%

Parameter

Typ.

Symbol

Units

Junction-to-Case

1.25

62.5

℃/W

^θJC

Junction-to-Ambient

R_θ

^a1：Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature

^a2：L=10mH, I_D=9.4A, Start T_J=25℃

^a3：I_SD=8A,di/dt ≤100A/us,V_DD≤BV_DS,Start T_J=25℃

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 3 of 10

2015V01

1 234 5 6 7...10

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