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CS30L50CT-A

更新时间： 2024-11-24 01:25:51

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描述
Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier

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CS30L50CT-A 数据手册

CS30L50CT-A

Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier

Chip Integration Technology Corporation

Main Product Characteristics

■ Outline

Dimensions in inches(millimeters)

TO-220AB

symbol

I_F(AV)

V_RRM

T_J

2x15A

Min

Max

ØP

0.398(10.1)

0.236(6.0)

0.579(14.7)

0.543(13.8)

0.143(3.63)

0.104(2.64)

0.335(8.5)

0.046(1.17)

0.028(0.71)

0.098(2.49)

0.176(4.47)

0.046(1.17)

0.102(2.6)

0.019(0.28)

0.147(3.74)

0.406(10.3)

0.252(6.4)

0.594(15.1)

0.551(14.0)

0.159(4.03)

0.112(2.84)

0.350(8.9)

0.054(1.37)

0.036(0.91)

0.102(2.59)

0.184(4.67)

0.054(1.37)

0.110(2.8)

0.021(0.48)

0.155(3.94)

50V

150^OC

0.45V

V_(Typ)

Marking code

■ Features

ØP

• Low forward voltage drop.

• Excellent high temperature stability.

• Fast switching capability.

• Lead-free parts meet environmental standards of

MIL-STD-19500 /228

Alternate

Dimensions in inches(millimeters)

symbol

Min

0.394(10.0)

0.228(5.8)

Max

0.413(10.5)

0.268(6.8)

ØP

0.570(14.48) 0.625(15.87)

0.519(13.18) 0.558(14.18)

■ Mechanical data

0.089(3.5)

0.100(2.54)

0.330(8.38)

0.045(1.15)

0.029(0.75)

0.095(2.42)

0.160(4.07)

0.045(1.15)

0.080(2.04)

0.013(0.33)

0.148(3.75)

0.099(3.9)

0.120(3.04)

0.350(8.9)

0.060(1.52)

0.037(0.95)

0.105(2.66)

0.190(4.82)

0.055(1.39)

0.110(2.8)

Marking code

• Epoxy : UL94-V0 rated flame retardant.

• Case : JEDEC TO-220AB molded plastic body.

• Terminals : Solder plated, solderable per

MIL-STD-750, Method 2026.

• Polarity: As marked.

• Mounting Position : Any.

ØP

0.019(0.52)

0.156(3.95)

PIN 2

• Weight : Approximated 2.25 gram.

PIN 1

PIN 3

■ Maximum ratings and electrical characteristics

Dimensions in inches and (millimeters)

Rating at 25^OC ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Parameter

Marking code

Conditions

Symbol

CS30L50CT-A

CS30L50CT

UNIT

Peak repetitive reverse voltage

Working peak reverse voltage

DC blocking voltage

V_RRM

V_RWM

V_RM

I_O

Forward rectified current (total device)

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rate load (JEDEC method)

Forward surge current (per diode)

I_FSM

280

^OC/W

^OC

R_θJC

Thermal resistance(1)

Junction to case

Operating and Storage temperature

T_J, T_STG

-55 ~ +150

Parameter

Conditions

I_F= 15A, T_J= 25^OC

I_F= 15A, T_J= 125^OC

V_R= V_RRMT_J= 25^OC

V_R= V_RRMT_J= 125^OC

Symbol

V_F

MIN.

TYP.

450

MAX.

UNIT

550

500

0.5

Forward voltage drop (per diode)

I_R

Reverse current (per diode)

100

Note : 1.Thermal resistance from junction to case per leg, with heatsink size(1.35" x 0.95" x 0.18") Al-plate.

Document ID : DS-11KB2

Revised Date : 2015/08/10

Revision : C7

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CS30L60CT	CITC	获取价格	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier
CS30L60CT-A	CITC	获取价格	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier
CS30L60CTG-A	CITC	获取价格	30A Low Barrier Diode
CS30N20A8R	CRMICRO	获取价格	TO-220
CS30N20FA9R	CRMICRO	获取价格	TO-220F
CS30N25 A8R	CRMICRO	获取价格	TO-220
CS30N25FA9R	CRMICRO	获取价格	TO-220F
CS30N50ANR	CRMICRO	获取价格	TO-3P(N)
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