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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS223-2MTRLEADFREE
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CS223-2MTRLEADFREE

更新时间： 2024-09-29 12:58:31
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 74K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, SMD, 4 PIN

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CS223-2MTRLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.68
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：10 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：0.8 V最大维持电流：2 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
最大漏电流：0.1 mA湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：10 A元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CS223-2MTRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CS223-2MTRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CS223-2M  
CS223-2N  
Semiconductor Corp.  
2.0 AMP SCR  
600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223-2M  
series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled  
Rectifier designed for sensing circuit applications  
and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
CS223  
-2M  
600  
CS223  
-2N  
800  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
A
A2s  
W
W
A
V
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =60°C)  
I
I
2.0  
10  
C
T(RMS)  
TSM  
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=10µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current (tp=10µs)  
Peak Gate Voltage (tp=10µs)  
Storage Temperature  
I2t  
0.24  
2.0  
0.1  
1.0  
8.0  
P
P
GM  
G(AV)  
GM  
I
V
GM  
stg  
J
T
T
Θ
-40 to +150  
-40 to +125  
62.5  
°C  
°C  
°C/W  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
20  
MAX  
10  
100  
200  
2.0  
UNITS  
µA  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
I
I
Rated V  
Rated V  
V
R
=1KΩ  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
, V =1KΩ, T =125°C  
R
DRM, RRM  
DRM RRM, GK  
C
V =12V  
GT  
H
GT  
TM  
D
R
=1KΩ  
GK  
V =12V  
0.8  
1.7  
D
TM  
I
=4.0A, tp=380µs  
1.4  
V
V/µs  
2
dv/dt  
V = / V  
R
=1KΩ, T =125°C  
10  
3
D
DRM, GK  
C
R0 (11-May 2004)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS223-2MTRTIN/LEAD CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 600V V(DRM),
CS223-2N CENTRAL

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 		2.0 AMP SCR 600 THRU 800 VOLTS
CS223-2NLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, SO
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