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CS223-2NLEADFREE

更新时间： 2024-02-17 11:38:15
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅光电二极管栅极
页数 文件大小 规格书
2页 379K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, SOT-223, 4 PIN

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CS223-2NLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-223
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.11外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.2 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：2 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CS223-2NLEADFREE 数据手册

 浏览型号CS223-2NLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CS223-2M  
CS223-2N  
www.centralsemi.com  
SURFACE MOUNT  
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS  
2 AMPS, 600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223-2M and  
CS223-2N are epoxy molded SCRs designed for  
sensing circuit applications and control systems.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
SYMBOL  
CS223-2M CS223-2N  
600 800  
UNITS  
V
C
V
V
DRM RRM  
,
RMS On-State Current (T =60°C)  
C
I
2.0  
10  
A
A
A2s  
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
Peak Gate Power, tp=10μs  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current, tp=10μs  
Peak Gate Voltage, tp=10μs  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
TSM  
I2t  
0.24  
2.0  
0.1  
1.0  
8.0  
P
W
GM  
P
W
G(AV)  
I
A
GM  
V
V
GM  
T
-50 to +125  
-50 to +150  
62.5  
°C  
°C  
°C/W  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
I
Rated V  
V R =1KΩ  
DRM RRM GK  
, ,  
10  
100  
200  
2.0  
0.8  
1.7  
μA  
DRM RRM  
,
I
Rated V  
, V  
R
=1KΩ, T =125°C  
μA  
μA  
mA  
V
DRM RRM  
,
DRM RRM GK  
C
,
V =12V  
20  
GT  
D
R
=1KΩ  
H
GK  
V =12V  
V
V
GT  
TM  
D
I
=4.0A, tp=380μs  
1.4  
V
TM  
2
dv/dt  
V = / V  
R
=1KΩ, T =125°C  
10  
V/μs  
3
D
DRM GK  
C
,
R2 (21-January 2013)  
12

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与CS223-2NLEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS223-2NTR13LEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, SMD, 4 PIN
CS2234 HVPSI

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 		HIGH VOLTAGE POWER SUPPLIES
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