CS223MBK

更新时间： 2024-02-09 23:25:28

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描述
Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM)

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CS223MBK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
关态电压最小值的临界上升速率：	25 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
最大漏电流：	0.1 mA	通态非重复峰值电流：	10 A
最大通态电流：	800 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CS223MBK 数据手册

Central

CS223M

Semiconductor Corp.

0.8 AMP SCR

600 VOLTS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223M

type is an epoxy molded Silicon Controlled

Rectifier designed for circuit sensing, detection

and control applications including lamp drivers

and small motor control

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

600

0.8

0.24

2.0

0.1

1.0

8.0

A²s

DRM, RRM

RMS On-State Current (T =60°C)

I²t

T(RMS)

TSM

Peak One Cycle Surge (t=10ms)

I²t Value for Fusing (t=10ms)

Peak Gate Power (tp=10µs)

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current (tp=10µs)

Peak Gate Voltage (tp=10µs)

Storage Temperature

G(AV)

stg

-40 to +150

-40 to +125

62.5

°C

°C/W

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

1.0

100

200

5.0

UNITS

µA

Rated V

=1KΩ

DRM, RRM

DRM, RRM, GK

, V =1KΩ, T =125°C

DRM, RRM

DRM RRM, GK

V =12V

=1KΩ

0.25

0.61

1.2

V =12V

0.8

1.7

=1.0A, tp=380µs

V/µs

dv/dt

V = / V

=1KΩ, T =125°C

DRM, GK

R0 (13-January 2005)

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