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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.09 |
| 外壳连接： | ANODE | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 10 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 2 mA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大漏电流： | 0.2 mA | 湿度敏感等级： | 1 |
| 通态非重复峰值电流： | 30 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 重复峰值反向电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CS223-4NTR13TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM) |
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| CS223-4NTRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800V V(DRM), |
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| CS223M | CENTRAL |
获取价格 |
0.8 AMP SCR 600 VOLTS |
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| CS223M_10 | CENTRAL |
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SURFACE MOUNT 0.8 AMP SILICON SCR 600 VOLTS |
|
| CS22-3M32D | VISHAY |
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RES,SMT,THIN FILM,3.32M OHMS,100WV,.5% +/-TOL,-100,100PPM TC,0202 CASE |
|
| CS22-3M32D0016 | VISHAY |
获取价格 |
RES,SMT,THIN FILM,3.32M OHMS,100WV,.5% +/-TOL,-100,100PPM TC,0202 CASE |
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| CS223MBK | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM) |
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| CS223MBKPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM), |
|
| CS223MLEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, |
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| CS223MTRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 800mA I(T), 600V V(DRM), |
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