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Datasheet > 触发装置 > 可控硅整流器> CS223-4N
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CS223-4N

更新时间： 2024-09-29 09:33:07
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 栅极触发装置可控硅整流器光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
4.0 AMP SCR 600 THRU 800 VOLTS

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CS223-4N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.09
Is Samacsys：N外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：0.2 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：4 A
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CS223-4N 数据手册

 浏览型号CS223-4N的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CS223-4M  
CS223-4N  
Semiconductor Corp.  
4.0 AMP SCR  
600 THRU 800 VOLTS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223-4M  
series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled  
Rectifier designed for sensing circuit applications  
and control systems.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-223 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
CS223  
-4M  
600  
CS223  
-4N  
800  
SYMBOL  
UNITS  
V
A
A
A2s  
W
W
A
A/µs  
°C  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
V
DRM, RRM  
RMS On-State Current (T =85°C)  
I
I
4.0  
30  
C
T(RMS)  
TSM  
Peak One Cycle Surge (t=10ms)  
I2t Value for Fusing (t=10ms)  
Peak Gate Power (tp=20µs)  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current (tp=20µs)  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Storage Temperature  
I2t  
4.5  
3.0  
0.2  
1.2  
50  
P
P
GM  
G(AV)  
GM  
I
di/dt  
T
T
Θ
-40 to +150  
-40 to +125  
62.5  
stg  
J
JA  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
°C  
°C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
10  
200  
200  
2.0  
UNITS  
µA  
µA  
µA  
mA  
V
I
I
I
I
V
V
I
I
Rated V  
Rated V  
V
R
=1KΩ  
DRM, RRM  
DRM, RRM, GK  
, V =1KΩ, T =125°C  
R
DRM, RRM  
DRM RRM, GK  
C
V =12V, R =10Ω  
20  
38  
GT  
H
GT  
TM  
D
T
L
GK  
L
I =50mA, R =1KΩ  
0.25  
0.55  
1.6  
V =12V, R =10Ω  
0.8  
1.8  
D
I
=8.0A, tp=380µs  
2
V
V/µs  
TM  
dv/dt  
V = / V  
R
=1KΩ, T =125°C  
10  
3
D
DRM, GK  
C
R0 (11-May 2004)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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