CS223-2N

更新时间： 2024-02-09 06:56:51

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2.0 AMP SCR 600 THRU 800 VOLTS

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CS223-2N 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
关态电压最小值的临界上升速率：	10 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	2 mA
最大漏电流：	0.1 mA	通态非重复峰值电流：	10 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-50 °C
断态重复峰值电压：	800 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	YES	触发设备类型：	SCR

CS223-2N 数据手册

Central

CS223-2M

CS223-2N

Semiconductor Corp.

2.0 AMP SCR

600 THRU 800 VOLTS

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS223-2M

series type is an Epoxy Molded Silicon Controlled

Rectifier designed for sensing circuit applications

and control systems.

MARKING CODE: FULL PART NUMBER

SOT-223 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

CS223

-2M

600

CS223

-2N

800

SYMBOL

UNITS

A²s

Peak Repetitive Off-State Voltage

DRM, RRM

RMS On-State Current (T =60°C)

2.0

T(RMS)

TSM

Peak One Cycle Surge (t=10ms)

I²t Value for Fusing (t=10ms)

Peak Gate Power (tp=10µs)

Average Gate Power Dissipation

Peak Gate Current (tp=10µs)

Peak Gate Voltage (tp=10µs)

Storage Temperature

I²t

0.24

2.0

0.1

1.0

8.0

G(AV)

stg

-40 to +150

-40 to +125

62.5

°C

°C/W

Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

100

200

2.0

UNITS

µA

Rated V

=1KΩ

DRM, RRM

DRM, RRM, GK

, V =1KΩ, T =125°C

DRM, RRM

DRM RRM, GK

V =12V

=1KΩ

V =12V

0.8

1.7

=4.0A, tp=380µs

1.4

V/µs

dv/dt

V = / V

=1KΩ, T =125°C

DRM, GK

R0 (11-May 2004)

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