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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 80 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 55 A | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN (315) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CS218-55BLEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 55A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-218 |
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| CS218-55D | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
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| CS218-55DLEADFREE | CENTRAL |
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Silicon Controlled Rectifier, 55A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-218 |
|
| CS218-55M | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| CS218-55MLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 55A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-218 |
|
| CS218-55N | CENTRAL |
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| CS218-55P | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| CS218-55PB | CENTRAL |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
| CS218-55PLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 55A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-218 |
|
| CS218-55PPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
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