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CS218I-30PBLEADFREE

更新时间： 2024-09-23 20:50:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 437K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 30A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-218

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CS218I-30PBLEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：50 mA
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：30 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

CS218I-30PBLEADFREE 数据手册

 浏览型号CS218I-30PBLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CS218I-30B CS218I-30N  
CS218I-30D CS218I-30P  
CS218I-30M CS218I-30PB  
www.centralsemi.com  
ISOLATED TAB  
DESCRIPTION:  
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS  
30 AMP, 200 THRU 1200 VOLT  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS218I-30B series  
types are epoxy molded SCRs designed for sensing  
circuit and control system applications. This device is  
mounted in a TO-218 case with an isolated mounting  
tab.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-218 THYRISTOR CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
CS218I  
C
SYMBOL  
-30B -30D -30M -30N -30P -30PB UNITS  
Peak Repetitive Off-State Voltage  
V
, V  
200 400  
600  
800 1000 1200  
V
DRM RRM  
RMS On-State Current (T =85°C)  
C
I
30  
400  
800  
50  
A
T(RMS)  
Peak One Cycle Surge Current, t=10ms  
I2t Value for Fusing, t=10ms  
Peak Gate Power Dissipation, tp=10μs  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Forward Gate Current, tp=10μs  
Peak Forward Gate Voltage, tp=10μs  
Peak Reverse Gate Voltage  
Critical Rate of Rise of On-State Current  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
A
A2s  
TSM  
I2t  
P
W
GM  
P
1.0  
4.0  
16  
W
G(AV)  
I
A
FGM  
V
V
FGM  
V
5.0  
100  
V
RGM  
di/dt  
A/μs  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
T
-40 to +125  
-40 to +150  
50  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
JC  
Thermal Resistance  
Θ
1.1  
Isolation Voltage  
V
2500  
V
(RMS)  
ISO  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
, I  
Rated V  
, V  
20  
6.0  
50  
ꢀA  
DRM RRM  
DRM RRM  
, I  
Rated V , V  
DRM RRM  
, T =125°C  
mA  
mA  
mA  
V
DRM RRM  
C
V =12V, R =33Ω  
GT  
H
D
L
I =500mA  
75  
T
V
V =12V, R =33Ω  
1.5  
2.1  
D
L
GT  
TM  
V
I
=60A, tp=380ms  
V
TM  
dv/dt  
V =⅔Rated V  
,
D
DRM  
=∞, T =125°C (200V thru 800V)  
R
500  
250  
V/ꢀs  
GK  
C
dv/dt  
V =⅔Rated V  
,
D
DRM  
=∞, T =125°C (1000V, 1200V)  
R
V/ꢀs  
GK  
C
R2 (4-November 2013)  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS218I-30PBPBFREE CENTRAL

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CS218I-30PLEADFREE CENTRAL

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 		Silicon Controlled Rectifier, 30A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-218
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 		ISOLATED TAB SCR 50 AMP, 200 THRU 1200 VOLTS
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