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CS18N20A4R

更新时间： 2024-04-24 09:03:46

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华润微 - CRMICRO		/
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TO-252(或DPAK)

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CS18N20A4R 数据手册

CS18N20 A4R

○

1.15

1.05

0.95

0.85

0.75

1.15

1.1

1.05

0.95

0.9

VGS=0V

ID=250μA

VGS=0V

ID=250μA

0.85

0.8

0.75

0.7

0.65

-55 -30

-5

120 145 170

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

Tj, Junction temperature , C

Figure 11 Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature

Figure 10 Typical Theshold Voltage vs Junction Temperature

VDS=160

Ciss

Coss

V_GS=0V , f=1MHz

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

Crss

I_D=18A

Qg , Total Gate Charge , nC

Figure 13 Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage

Figure 12 Typical Capacitance vs Drain to Source Voltage

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 6 of 10

2016V01

1...3 4 567 8 9 10

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CS18NZ	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 1000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element	获取价格
CS18NZLEADFREE	CENTRAL	Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 800V V(RRM), 1 Element, TO-18,	获取价格