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CRTS026NE4N

更新时间： 2024-04-09 18:59:12

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TO-263(或D2PAK)

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CRTS026NE4N 数据手册

CRTS026NE4N

Trench N-MOSFET 45V, 2mΩ, 120A

华润微电子(重庆)有限公司

Fig 8: Body-diode Forward

Fig 7: Gate Charge Characteristics

Characteristics

1000

100

V_DS=25V

I_D=60A

150˚C

25˚C

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

100

120

140

160

V_SD- Diode Forward Voltage(V)

Qg (nC)

Fig 10: Drain Current Derating

Fig 9: Power Dissipation

140

300

120

100

250

200

150

100

V_GS≥10V

100

125

150

100

125

150

175

Tc - Case Temperature (°C)

Fig 11: Safe Operating Area

1000

1us

10us

Limited by

Rds(on)

100

100us

1ms

10ms

Single pulse

Tc=25˚C

0.1

100

V_DS(V)

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 5

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