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CR6A6GPPTR

更新时间: 2024-09-17 21:12:55
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CENTRAL 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 25K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 600V V(RRM), Silicon,

CR6A6GPPTR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.42其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:400 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

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