5秒后页面跳转
CR3CM12B PDF预览

CR3CM12B

更新时间: 2024-11-06 15:29:55
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 286K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 600V V(DRM)

CR3CM12B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84最大直流栅极触发电流:0.05 mA
最大直流栅极触发电压:0.8 V最大漏电流:1 mA
通态非重复峰值电流:90 A最大通态电流:3000 A
最高工作温度:110 °C最低工作温度:-40 °C
断态重复峰值电压:600 V子类别:Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装:NO触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

CR3CM12B 数据手册

 浏览型号CR3CM12B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CR3CM12B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CR3CM12B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CR3CM12B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CR3CM12B的Datasheet PDF文件第6页 

与CR3CM12B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR3CM-12BC MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR3CM-12BD MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR3CM12C MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 600V V(DRM)
CR3CM-12CD MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR3CM12D MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 600V V(DRM)
CR3CM-8 POWEREX

获取价格

Lead-mount, Phase Control SCR 3 Amperes/400-600 Volts
CR3CM-8 MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 400V V(DRM), 1 Element, TO-220
CR3CM-8AC MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR3CM-8AD MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202
CR3CM8B MITSUBISHI

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 400V V(DRM)