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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T |
| 最大漏电流： | 1 mA | 通态非重复峰值电流： | 90 A |
| 元件数量： | 1 | 最大通态电流： | 3000 A |
| 最高工作温度： | 110 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CR3CM-8AC | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202 |
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| CR3CM-8AD | MITSUBISHI |
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Silicon Controlled Rectifier, 4.7A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-202 |
|
| CR3CM8B | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 400V V(DRM) |
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| CR3CM8C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 400V V(DRM) |
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| CR3CM8D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 3000mA I(T), 400V V(DRM) |
|
| CR3CS-12A | RENESAS |
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600V - 3A - Thyristor Low Power Use |
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| CR3EM | MITSUBISHI |
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LOW POWER USE NON-INSULATED TYPE, GLASS PASSIVATION TYPE |
|
| CR3EM-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.94A I(T)RMS, 600mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme |
|
| CR3F-010 | CENTRAL |
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FAST RECOVERY RECTIFIER |
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| CR3F-010TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-201AD, |
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