CR250-3TR

更新时间： 2024-10-28 13:07:03

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2页	190K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon

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CR250-3TR 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	0.25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

CR250-3TR 数据手册

CR250-2 SERIES

Central

Semiconductor Corp.

HIGH VOLTAGE

SILICON RECTIFER

2000 THRU 4000 VOLTS

200mA

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CR250-2 series

types are 200mA axial lead high voltage silicon

rectifiers designed for general purpose high voltage

applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

DO-15 CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL CR250-2

CR250-3

CR250-4

UNITS

DC Blocking Voltage

2000

1400

3000

4000

Peak Repetitive Reverse Voltage

RMS Reverse Voltage

3000

2100

4000

2800

RRM

R(RMS)

Average Forward Current (T =50°C)

Peak Forward Surge Current (t=8.3ms)

200

FSM

T , T

Operating and Storage Junction Temperature

-65 to +150

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

TYP

MAX

UNITS

V =Rated V

5.0

μA

RRM

V =Rated V

, T =100°C

3.0

4.0

5.0

I =200mA (CR250-2)

I =200mA (CR250-3)

I =200mA (CR250-4)

V =4.0V, f=1.0MHz

R2 (30-September 2009)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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