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CR03AM-12B

更新时间: 2024-10-29 13:07:03
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 栅极触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),300MA I(T),TO-92

CR03AM-12B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.21
最大直流栅极触发电流:0.05 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
最大维持电流:3 mA最大漏电流:0.1 mA
通态非重复峰值电流:20 A最大通态电压:1.8 V
最大通态电流:300 A最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-40 °C断态重复峰值电压:600 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

CR03AM-12B 数据手册

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CR03AM-12  
Thyristor  
Low Power Use  
REJ03G0352-0200  
Rev.2.00  
Mar.01.2005  
Features  
IT (AV) : 0.3 A  
VDRM : 600 V  
Non-Insulated Type  
Glass Passivation Type  
I
GT : 100 µA  
Outline  
PRSS0003EA-A  
(Package name:TO-92)  
2
1. Cathode  
2. Anode  
3. Gate  
3
1
3
2
1
Applications  
Leakage protector, timer, and gas igniter  
Maximum Ratings  
Parameter  
Voltage class  
Symbol  
Unit  
12  
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
DC reverse voltage  
Repetitive peak off-state voltageNote1  
Non-repetitive peak off-state voltageNote1  
DC off-state voltageNote1  
VRRM  
VRSM  
VR(DC)  
VDRM  
VDSM  
VD(DC)  
600  
800  
480  
600  
800  
480  
V
V
V
V
V
V
Rev.2.00, Mar.01.2005, page 1 of 7  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CR03AM-12BC MITSUBISHI

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Silicon Controlled Rectifier, 1 Element, TO-92, TO-92, 3 PIN
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暂无描述
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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),300MA I(T),TO-92
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0.47A, 600V, SCR, TO-92, SC-43A, 3 PIN
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