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CPD91V-CMOD6001-WR

更新时间： 2024-11-23 14:48:35

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CPD91V-CMOD6001-WR 技术参数

PROCESS CPD91V

Switching Diode

Low Leakage Switching Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

11 x 11 MILS

7.1 MILS

Die Thickness

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.35 x 3.35 MILS

Al - 15,000Å

Au-As - 12,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

137,880

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMPD6001 Series

CMOD6001

CMLD6001

CMLD6001DO

CMDD6001

R2 (3-August 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CPD91V-CMPD6001	CENTRAL	获取价格	100V Bare die,11.030 X 11.030 mils,Diode-Ultra Low Leakage
CPD92	CENTRAL	获取价格	Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip
CPD92-CMDD6263-CG	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD92-CMKD6263-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD92-CMOD6263-WS	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD92-CMPD6263	CENTRAL	获取价格	70V Bare die,9.053 X 9.053 mils,Diode-Schottky (<1A)
CPD92-CMPD6263-CG	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD92-CMPD6263-WN	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD92-CMSD6263-CG	CENTRAL	获取价格	Rectifier Diode,
CPD92V	CENTRAL	获取价格	Schottky Diode High Voltage Schottky Diode Chip