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CPD92-CMPD6263-WN

更新时间： 2024-11-24 07:10:31

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CPD92-CMPD6263-WN 数据手册

PROCESS CPD92

Schottky Diode

Central

Semiconductor Corp.

High Voltage Schottky Diode Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

9.0 x 9.0 MILS

7.9 MILS

Anode Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

4.8 MILS DIAMETER

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

139,050

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CMDD6263

CMKD6263

CMOD6263

CMPD6263 SERIES

CMSD6263 SERIES

1N6263

BACKSIDE CATHODE

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R1 (1-August 2002)

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