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CPD16-UES1002-WR

更新时间： 2024-10-15 15:44:51
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2页 388K
描述
Rectifier Diode,

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CPD16-UES1002-WR 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Base Number Matches：1

CPD16-UES1002-WR 数据手册

 浏览型号CPD16-UES1002-WR的Datasheet PDF文件第2页 
PROCESS CPD16  
Ultra Fast Rectifier  
1 Amp Glass Passivated Rectifier Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
GLASS PASSIVATED MESA  
Die Size  
51 x 51 MILS  
Die Thickness  
14 MILS  
Anode Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
34 x 34 MILS  
Ni/Au - 5,000Å/2,000Å  
Ni/Au - 5,000Å/2,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
4,250  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
UES1001 thru UES1003  
UF4001 thru UF4007  
CMR1U-01 Series  
CMR1U-01M Series  
BACKSIDE CATHODE  
R4 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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