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CPD17-1N5804-WN

更新时间： 2024-10-16 08:36:43
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Rectifier Diode,

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CPD17-1N5804-WN 数据手册

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PROCESS CPD17  
Ultra Fast Rectifier  
3 Amp Glass Passivated Rectifier Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
GLASS PASSIVATED MESA  
Die Size  
88 x 88 MILS  
Die Thickness  
14 MILS  
Anode Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
69 x 69 MILS  
Ni/Au - 5,000Å/2,000Å  
Ni/Au - 5,000Å/2,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
1,200  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
1N5802 thru 1N5806  
UES1101 thru UES1106  
CMR3U-01 Series  
BACKSIDE CATHODE  
R4 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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