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CPD16-UES1001-CG

更新时间: 2024-10-15 19:50:55
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2页 200K
描述
Rectifier Diode,

CPD16-UES1001-CG 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.76
Base Number Matches:1

CPD16-UES1001-CG 数据手册

 浏览型号CPD16-UES1001-CG的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
PROCESS CPD16  
Ultra Fast Rectifier  
Central  
Semiconductor Corp.  
1.0 Amp Glass Passivated Rectifier Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
Die Size  
GLASS PASSIVATED MESA  
50 x 50 MILS  
Die Thickness  
12.2 MILS  
Anode Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
34 x 34 MILS  
Au - 5,000Å  
Au - 2,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
4,520  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
UES1001 thru UES1003  
UF4001 thru UF4007  
CMR1U-01 Series  
CMR1U-01M Series  
BACKSIDE CATHODE  
145 Adams Avenue  
Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110  
Fax: (631) 435-1824  
R2 (19-September 2003)  
www.centralsemi.com  

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