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CPD04-1N648-CM

更新时间： 2024-10-15 10:07:23

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CPD04-1N648-CM 技术参数

PROCESS CPD04

General Purpose Rectifier

500 mA Glass Passivated Rectifier Chip

PROCESS DETAILS

Process

GLASS PASSIVATED MESA

25 x 25 MILS

Die Size

Die Thickness

Anode Bonding Pad Area

9.5 MILS

14.5 x 14.5 MILS

Au - 5,000Å

Top Side Metalization

Back Side Metalization

Au - 2,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

18,080

PRINCIPAL DEVICE TYPES

1N645 thru 1N649

CBRHD-02 Series

BACKSIDE CATHODE

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (24- August 2006)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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