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CP207_10

更新时间： 2024-02-25 19:39:57
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CENTRAL 晶体开关晶体管
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2页 391K
描述
Small Signal Transistor NPN - Saturated Switch Transistor Chip

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CP207_10 数据手册

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PROCESS CP207  
Small Signal Transistor  
NPN - Saturated Switch Transistor Chip  
PROCESS DETAILS  
Process  
EPITAXIAL PLANAR  
Die Size  
9.0 x 14 MILS  
8.0 MILS  
Die Thickness  
Base Bonding Pad Area  
Emitter Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
2.7 x 2.7 MILS  
2.7 x 2.7 MILS  
Al - 13,000Å  
Au - 6,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 4 INCH WAFER  
93,430  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
2N2369A  
CMPT2369  
BACKSIDE COLLECTOR  
R4 (22-March 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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