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CP207-CMPT2369-WN

更新时间： 2024-02-14 15:44:35

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CP207-CMPT2369-WN 技术参数

PROCESS CP207

Small Signal Transistor

NPN - Saturated Switch Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

9.0 x 14 MILS

8.0 MILS

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.1 x 2.9 MILS

Al - 13,000Å

Au - 6,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

93,430

PRINCIPAL DEVICE TYPES

2N2369A

CMPT2369

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (16-August 2006)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP207-CMPT2369-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP208	CENTRAL	获取价格	Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
CP208_10	CENTRAL	获取价格	Power Transistor NPN - Amp/Switch Transistor Chip
CP2082	ETC	获取价格	TRANSHIELLD CP2000 SERIES
CP2082A	ETC	获取价格	TRANSHIELLD CP2000 SERIES
CP208-2N3054	CENTRAL	获取价格	55V,4A,25W Bare die,66.000 X 66.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP20840-160F	ETC	获取价格	ASIC
CP20840-208F	ETC	获取价格	ASIC
CP20840-223PG	ETC	获取价格	ASIC
CP20840A-1CPGA223AC	ETC	获取价格	Field Programmable Gate Array (FPGA)