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CP208-2N3054

更新时间： 2024-09-28 14:55:19

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5页	685K
描述
55V,4A,25W Bare die,66.000 X 66.000 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)

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CP208-2N3054 数据手册

PROCESS CP208

Power Transistor

NPN - Amp/Switch Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

66 x 66 MILS

Die Size

Die Thickness

12.5 1.0 MILS

12 x 24 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

11 x 14 MILS

Al - 50,000Å

Cr/Ni/Ag - 16,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

2,630

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CJD31C

MJE182

TIP31C

BACKSIDE COLLECTOR

R4 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP20840-160F	ETC	获取价格	ASIC
CP20840-208F	ETC	获取价格	ASIC
CP20840-223PG	ETC	获取价格	ASIC
CP20840A-1CPGA223AC	ETC	获取价格	Field Programmable Gate Array (FPGA)
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